Разработка и производство электронных компонентов
Поиск:
Главная → Продукция → Продукция электронного материаловедения → Кристаллы светоизлучающих диодов
Кристаллы светоизлучающих диодов
КРИСТАЛЛЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
Кристаллы для светоизлучающих диодов (СИД) видимого и ИК диапазонов изготавливаются на основе эпитаксиальных структур
AlGaAs/GaAs и GaP/GaP. Используются для изготовления кристаллов светоизлучающих диодов, знаковых индикаторов.
ПАРАМЕТРЫ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СИД ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА
| Тип
кристалла |
Цвет,
материал / структура |
Длина волны
люминесценции, нм |
Vf, В
|
IV, мКд
|
If, мА
|
||
| тип
|
макс
|
тип
|
мин
|
||||
| СДИ-001-6
|
Зеленый,
GaP / p-GaP |
565
|
2,10
|
2,40
|
6,0
|
3,0
|
20
|
| СДИ-001-8
|
Зеленый,
GaP / p-GaP |
565
|
2,10
|
2,40
|
8,0
|
4,0
|
20
|
| СДИ-001-10
|
Зеленый,
GaP / p-GaP |
565
|
2,10
|
2,40
|
10,0
|
5,0
|
20
|
| СДИ-006-2
|
Красный,
GaAlAs (SH) / n-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
2,0
|
1,4
|
10
|
| СДИ-006-3
|
Красный,
GaAlAs (SH) / n-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
3,0
|
2,1
|
10
|
| СДИ-007-3
|
Красный,
GaAlAs (DH) / p-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
3,0
|
2,1
|
10
|
| СДИ-007-4
|
Красный,
GaAlAs (DH) / p-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
4,0
|
2,8
|
10
|
| СДИ-007-5
|
Красный,
GaAlAs (DH) / p-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
5,0
|
3,5
|
10
|
| СДИ-008-4
|
Красный,
GaAlAs / p-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
4,0
|
2,8
|
10
|
| СДИ-008-5
|
Красный,
GaAlAs / p-GaAs |
650
|
1,75
|
1,85
|
5,0
|
3,5
|
10
|
| СДИ-009
|
Красный,
GaAlAs (DH) / n-GaAlAs |
650
|
1,75
|
1,90
|
10,0-15,0
|
8,0
|
10
|
| СДИ-010
|
Красный,
GaAlAs (DH) / p-GaAlAs |
660
|
1,75
|
1,90
|
8,0
|
5,0
|
10
|
| Примечания: SH - гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n -
верхняя сторона n - типа, p - верхняя сторона p - типа
|
|||||||
ПАРАМЕТРЫ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СИД ИК-ДИАПАЗОНА
| Тип
кристалла |
Материал / структура
|
Длина волны
люминесценции, нм |
Vf, В
|
η, %
|
If, мА
|
||
| тип
|
макс
|
тип
|
мин
|
||||
| СДИ-004
|
GaAlAs (DH) /p-GaAlAs
|
860-920
|
1,50
|
1,70
|
7,0-10,0
|
5,0
|
100
|
| СДИ-005-3
|
GaAlAs (DH) / n-GaAs
|
860
|
1,30
|
1,45
|
3,0
|
2,0
|
10
|
| СДИ-005-4
|
GaAlAs (DH) / n-GaAs
|
860
|
1,30
|
1,45
|
4,0
|
2,5
|
10
|
| СДИ-014
|
GaAlAs (DH) /n-GaAlAs
|
670-870
|
1,50
|
1,70
|
4,0
|
2,8
|
20
|
| Примечания: SH -
гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n -
верхняя сторона n - типа, p - верхняя сторона p - типа
|
|||||||
Прием заявок по факсам: (4842) 73-58-70, 73-58-63, 55-12-50, или электронной почте: krlz@kaluga.ru
По техническим вопросам обращаться по
телефону: (4842) 76-66-31 Парамонов Виктор Васильевич
Главная | О компании | Новости | Продукция | Цены | Перспективы | Потребность | Услуги | Доска объявлений | Контакты
© 1960—2010, ОАО «Восход-КРЛЗ» — Калужский радиоламповый завод.
248009, г. Калуга, ул. Грабцевское шоссе, д. 43. Тел. (4842) 56-29-33, факс: (4842) 73-58-70
Создание сайта — «Сплайн», 2007.
248009, г. Калуга, ул. Грабцевское шоссе, д. 43. Тел. (4842) 56-29-33, факс: (4842) 73-58-70
Создание сайта — «Сплайн», 2007.