Главная → Продукция → Продукция электронного материаловедения → Эпитаксиальные структуры GaAlAs для светоизлучающих диодов

Эпитаксиальные структуры GaAlAs для светоизлучающих диодов

---

 

Выращиваются методом жидкофазной эпитаксии на подложках  арсенида галлия. Используются для изготовления кристаллов светоизлучающих диодов (СИД) красного и ИК - диапазона, знаковых индикаторов, оптронов.

 

 

ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИН AlGaAs ДЛЯ СИД КРАСНОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ

Тип	Материал структура / подложка	λp, ± 5нм	Сила света, мКд, при 20мА		Обратное напряжение Vr min, В, при Ir = 10μА	Время отклика, нс
			мин	тип		τr	τf
ЭСАГА 49	n-AlGaAs(SH) / p-GaAs	650-665	5	7	8	60	50
ЭСАГА 125	p-AlGaAs(DH) / n-GaAs	650-665	9	12	8	40	30
ЭСАГА 125S	p-AlGaAs(DH) / n-GaAs	650-665	2,5	4	8	40	30
ЭСАГА 129	p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs	650-665	18	25	8	50	35
ЭСАГА 131	n-AlGaAs(DH) / p-GaAs	650-665	12	15	8	40	30
ЭСАГА 140	n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs	650-665	20	30	5	50	35
Примечания: SH - гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n - верхняя сторона n - типа, p -  верхняя сторона p - типа

ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИН AlGaAs ДЛЯ СИД ИК - ДИАПАЗОНА

Тип	Материал структура / подложка	λp, ± 5нм	Сила света, мКд, при 20мА		Обратное напряжение Vr min, В, при Ir = 10μА	Время отклика, нс
			мин	тип		τr	τf
ЭСАГА 20	n-AlGaAs(DH) / p-GaAs	800-860	0,8	1,4	8	60	50
ЭСАГА 131L	n-AlGaAs(DH) / p-GaAs	680-790	0,8	1,4	8	40	30
ЭСАГА 136	p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs	850-880	3,0	4,0	8	40	30
			4,0	5,0	8	25	20
			2,0	3,0	8	25	20
ЭСАГА 140	n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs	720-740	2,5	3,5	8	40	30
ЭСАГА 140L	n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs	800-870	3,0	4,0	8	40	30
			4,0	5,0	8	40	30
ЭСАГА 141	p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs	900-940	2,5	3,5	8	300	300
Примечания: SH - гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n - верхняя сторона n - типа, p -  верхняя сторона p - типа

Прием заявок по факсам: (4842) 73-58-70, 73-58-63, 55-12-50, или электронной почте: krlz@kaluga.ru

По техническим вопросам обращаться по телефону: (4842) 76-66-31 Парамонов Виктор Васильевич