Главная → Продукция → Продукция электронного материаловедения → Подложки монокристаллического GaAs

Подложки монокристаллического GaAs

---

Подложки монокристаллического GaAs

ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Метод получения	метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава слоем борного ангидрида (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC)
Плотность дислокаций, см-2 , не более чем	5·104
Концентрация носителей, см-3	1·1016 - 3·1018
Легирующая примесь	Te, Zn
Диаметр, дюйм	2 ; 3
Кристалло-графическое направление	(100), (111)
Толщина, мкм	350 - 650
Обработка поверхности	одно- или двухсторонняя полировка

 

Прием заявок по факсам: (4842) 73-58-70, 73-58-63, 55-12-50, или электронной почте: krlz@kaluga.ru

По техническим вопросам обращаться по телефону: (4842) 76-66-31 Парамонов Виктор Васильевич